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电源管理-TI

进一步推动电源发展
您的电源管理合作伙伴

作为您的电源管理合作伙伴，我们矢志不渝地致力于突破电源极限：开发新的工艺、封装和电路设计技术，从而为您的应用提供性能出色的器件。我们致力于帮您解决以下主要电源设计挑战：提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰 (EMI)、增强电源和信号完整性以及提高系统安全性。我们的使命是让世界各地的工程师都能实现更多创新。观看此视频，了解 TI 如何进一步推动电源发展。
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直流/直流开关稳压器
广泛的降压、升压和降压/升压稳压器产品系列

降压稳压器
升压稳压器
降压/升压和反相稳压器
降压模块（集成电感器）
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交流/直流和隔离式直流/直流控制器和转换器
具有各种拓扑选项的交流/直流和隔离式直流/直流控制器和转换器

PWM 控制器和谐振控制器
PFC 控制器
反激式控制器
隔离式 DC/DC 转换器
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电池管理 IC
高效、持久且更可靠的电池管理 IC 产品系列

电池充电器 IC
电池监测器和平衡器
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线性/LDO 稳压器
适用于敏感模拟系统且具有低压降电压的线性稳压器

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监控器和电压基准
广泛的电压监控器产品系列以及高精度串联和并联基准

监控器和复位 IC
电压基准
多通道 IC 和 PMIC
可通过更少元件降低系统复杂性的可扩展至完全集成的 PMIC

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电源开关
集成配电和电源路径保护 IC

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LED 驱动器
涵盖多种通道数的线性直流/直流和交流/直流驱动器

RGB LED 驱动器
汽车 LED 驱动器
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栅极驱动器
适用于所有 MOSFET、IGBT、GaNFET 和 SiCFET 设计的全面栅极驱动器产品系列

半桥驱动器
隔离式栅极驱动器
低侧驱动器
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USB 电源产品
符合 USB 标准的控制器和开关

USB Type-C® 和 USB 电力传输 IC
USB 电源开关和充电端口控制器
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氮化镓 (GaN) 产品
可实现寿命可靠性的超高效、集成式 GaN 电源器件

具有集成驱动器的 GaN FET
GaN 驱动器
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MOSFET
多种 N 沟道和 P 沟道分立及模块解决方案

N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
电源块
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新型电源产品

了解我们的以下特色新产品。有关更多新电源产品，请参阅我们的新产品页面。

TPS61094
具有旁路模式的 60nA 静态电流双向降压/升压转换器

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评估模块
LMR43620
3V 至 36V、2A、低 IQ 同步降压稳压器

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LM74720-Q1
具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器

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评估模块
查找我们的所有最新电源产品
电源设计工具和仿真

使用我们全面的电源设计工具执行快速计算和仿真，帮助您分析和了解设计性能。
WEBENCH 电源设计器标识
WEBENCH® 电源设计器
使用我们的端到端电源设计工具缩短开发时间。

开始您的设计
仿真曲线 GUI 图标
PSpice® for TI 设计和模拟工具
使用新的 PSpice® for TI 设计和仿真工具快速创建电路仿真，从而为您的设计选择合适的器件。

下载 PSpice for TI
Power Stage Designer GUI 图标
Power Stage Designer™ 软件工具
通过深入实时的电压和电流计算加快您的电源设计。

分析您的设计
集成电路
适用于处理器和 FPGA 的电源
选择正确的分立式负载点稳压器和 PMIC，为您的处理器或 FPGA（由 TI、Xilinx、Intel、NXP 等厂家提供）供电。

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曲线计算器
PCB 热量计算器
快速估算 PCB 上组件的结温。

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TI 电源
电源发展趋势

在我们的日常工作中，电源管理对实现电子元件的进一步集成至关重要。数十年来，TI 致力于开发新的工艺、封装和电路设计先进技术，从而为您的设计提供出色的功率器件。

无论是提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是在高电压下维持安全性，我们都随时帮您解决电源管理方面的主要难题。

功率密度图标
低 EMI 图标
隔离图标
功率密度
在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能

低 EMI
通过减少辐射来降低系统成本并快速满足 EMI 标准

隔离
借助超高的工作电压和可靠性提高安全性

低 IQ 图标
低噪声图标
低静态电流 (IQ)
在不影响系统性能的情况下，延长电池寿命和货架期

低噪声和精度
增强电源和信号完整性，以提高系统级保护和精度

低静态电流 (IQ)：在不影响系统性能的同时，延长电池寿命和货架期
在电池供电的系统中，为了在空载或轻负载条件下实现高效率，电源解决方案需要在保持超低供电电流的同时，对输出进行严格调节。借助 TI 的超低 IQ 技术和产品组合，您可以在下一个设计中最大化电池运行时间并实现低功耗。

TI 低 IQ 技术的主要优势包括：

低功耗、常开型电源：超低漏电工艺技术和新型控制拓扑，可延长电池运行时间。
快速响应时间：快速唤醒比较器和零 IQ 反馈控制可在不影响低功耗性能的情况下实现快速动态响应。
更小的外形尺寸：电阻器和电容器的面积缩减技术，有助于集成到空间受限的应用中，同时不影响静态功率。
应对低功耗应用中的低 IQ 挑战
应对低功耗应用中的低 IQ 挑战

如今，超低功耗电子产品的设计人员经常在更高的性能和更长的电池寿命之间进行权衡。在本白皮书中，我们探讨了降低 IQ 的解决方案，并克服了“如何在更长的寿命内获得更高性能”这一根本性挑战。
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如何使用低 IQ 技术延长电池寿命

此视频系列包含一系列入门知识，范围涉及主要电流规格、电池供电系统中低 IQ 的优势以及低 IQ 设计需求增加的应用具体示例。
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低 IQ 的主要产品类别：
电池充电器 IC
降压/升压和反相稳压器
线性稳压器 (LDO)
电源开关
串联电压基准
并联电压基准
降压稳压器
升压稳压器
监控器和复位 IC
低 EMI：通过减少辐射发射，降低系统成本并快速满足 EMI 标准
电磁干扰 (EMI) 是电子系统中越来越重要的一个关键因素，在汽车和工业应用等新应用中尤其如此。低 EMI 设计可为您显著缩短开发周期，同时还可减小电路板面积并降低解决方案成本。TI 提供多种功能和技术来降低所有相关频段的 EMI。

TI 低 EMI 技术的主要优势包括：

改进的滤波器尺寸和成本：先进的扩频和有源 EMI 抑制技术可降低产生的 EMI 的影响。
减少设计时间并降低设计复杂性：覆晶封装、电容器集成和先进的栅极驱动器技术可从根本上降低源极产生的噪声。
创新的电源 EMI 抑制技术可缩短设计时间和提高成本效益
创新的电源 EMI 抑制技术可缩短设计时间和提高成本效益

随着电子系统变得越来越密集并且互连程度越来越高，降低 EMI 的影响日益成为一个关键的系统设计考虑因素。本白皮书分析了开关模式电源中的 EMI，并提供了一些可帮助您快速且轻松地通过业界通用 EMI 测试的技术示例。
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设计低 EMI 电源

EMI 设计可能充满挑战性，但我们仍随时为您提供帮助。此综合培训系列为您设计符合传导和辐射 EMI 要求的高效电源提供了一种更简单的方法。

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低 EMI 的主要产品类别：
降压/升压和反相稳压器
隔离式偏置电源
多通道集成电路 (PMIC)
降压稳压器
升压稳压器
功率密度：在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能
随着功率需求的增加，电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多的电路，才能实现产品的差异化，并提高效率和增强热性能。通过采用 TI 的先进工艺、封装和电路设计技术，目前能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。

TI 功率密度技术的主要优势包括：

产热更少：借助我们先进的器件和氮化镓技术，实现出色的器件开关性能。
热性能更好：利用先进的冷却技术（包括增强型 HotRod™ QFN 封装、电源晶圆芯片级封装和顶部散热），帮助封装体散热。
效率更高：借助多级转换器拓扑和先进的功率级栅极驱动器，使用较小的无源器件实现较高的开关频率，同时又不影响效率。
更小的系统占用空间：利用高级的多芯片模块技术，节省布板空间、简化电路板布局并降低寄生效应的影响。
了解提高功率密度的利弊权衡和所需技术
了解提高功率密度的利弊权衡和所需技术

在电源设计中，空间是有限的，因此工程师始终面临着一个挑战，即在更小的空间内实现更大的功率。提高功率密度的需求显而易见，但现在有哪些因素限制了设计人员提高功率密度？在此白皮书中，我们将深入分析提高功率密度的限制因素，并提供可帮您克服这些因素的技术示例。

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了解功率密度的基础技术

观看此培训系列（包含 5 个部分），其中我们通过介绍高功率密度解决方案的四个重要方面，以及支持这些特定要求的相关技术和产品，概述了如何实现更高的功率密度。

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功率密度的主要产品类别：
电池充电器 IC
降压/升压和反相稳压器
氮化镓 (GaN) IC
隔离式偏置电源
隔离式栅极驱动器
LED 驱动器
线性稳压器 (LDO)
多通道集成电路 (PMIC)
离线和隔离式直流/直流控制器和转换器
电源开关
降压稳压器
升压稳压器
USB Type-C 和 USB 电力传输 IC
低噪声和高精度：增强电源和信号完整性，以提高系统级保护和精度
要实现精密信号链，低噪声 LDO 稳压器和开关转换器、精密的监控和可靠的保护是必不可少的。对于电动汽车电池监测、测试和测量以及医疗等应用，TI 使用专用的电源处理技术以及先进的电路和测试技术，可提高精度、更大限度地减少失真，并降低线性和开关电源转换器的噪声。

TI 低噪声和高精度技术的主要优势包括：

提高准确性和精度：借助基本的低噪声工艺技术、先进的集成电路设计和低应力封装，减少集成电路误差源。
降低系统噪声：利用高电源抑制比 (PSRR) 低压降稳压器 (LDO)、集成滤波和遥感功能来管理嘈杂环境。
LDO 噪声揭秘
LDO 噪声揭秘

您是否认为噪声和电源抑制比 (PSRR) 是一回事？阅读此应用手册，了解噪声和 PSRR 之间的差异并探索降低设计中 LDO 噪声的方法。
 

LDO 基础知识：PSRR

观看此培训视频，了解电源抑制比 (PSRR) 的细微差别、如何确定应用中的 PSRR 以及影响 PSRR 值的参数和因素。

低噪声和高精度的主要产品类别：
电池监测器和平衡器
线性稳压器 (LDO)
多通道集成电路 (PMIC)
串联电压基准
并联电压基准
监控器和复位 IC
隔离：借助超高的工作电压和可靠性提高安全性
隔离是指在危险的高压下提供可靠的保护。电隔离以电气方式分隔两个域，在不危及人类安全的情况下允许电源或信号通过隔离栅，同时还可以防止出现接地电位差并提高抗噪能力。TI 的隔离技术产品系列（包括电容式 SiO2 绝缘隔栅和集成变压器），可超出德国汽车工业协会 (VDA)、加拿大标准协会 (CSA) 和美国保险商实验室 (UL) 标准，并且性能丝毫不受影响。要了解更多有关隔离的信息，请参阅所有隔离解决方案。

TI 隔离技术的主要优势包括：

提高系统稳健性和可靠性：TI 的高电压隔离式产品系列可实现低延迟、出色的共模瞬态抗扰度和稳健的性能。
减小外形尺寸和轻松符合 EMI 标准：TI 的隔离技术有助于降低尺寸、改善热性能和 EMI 性能。
满足隔离要求白皮书的高电压半导体解决方案
通过高电压 IC 满足隔离要求

工业和汽车市场的隔离要求差异很大。本白皮书探讨了在隔离栅上传输功率和信号的关键注意事项和方法，并探讨了电网基础设施、工厂自动化、电机驱动器和汽车应用的要求有何不同。


高电压隔离技术的工作原理

TI 的电容隔离技术可实现超高的隔离等级和超长寿命的可靠性。跟随我们的一位高电压技术专家，了解电容隔离技术的性能优势。
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隔离的主要产品类别：
隔离式偏置电源
隔离式栅极驱动器
数字隔离器
隔离式 ADC
隔离放大器
隔离式接口
关于 TI
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TI德州仪器的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

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